题目：基于未来离子导电材料的新型离子束源的开发与表征
时间：2019年5月24日（星期五）19:30-21:30
地点：物理楼403
报告人简介
Alexander Tolstoguzov（亚历山大.托斯托古佐夫），梁赞无线电工程大学教授，从事加速器离子束技术、离子-固体相互作用研究长达40年，主持研发了团簇离子束装置和低能离子束背散射分析装置（LEIS）。其中，团簇离子束已用于集成电路芯片超浅结器件的纳米加工制造，研制了超浅结离子注入机；特别是研发了超高真空飞行时间二次离子质谱（TOF SIMS）装置，为新材料研究提供了高精度、全元素表征的科学仪器设备。研发了LEIS装置，实现了新型纳米材料和二维材料的元素鉴别（特别是轻元素测量），并使纳米材料元素深度剖面的无损测试分析成为可能。此外，Tolstoguzov教授通过校企合作为Ryazan Metal Ceramic Intrument Co. Ltd.(梁赞金属陶瓷仪器公司）提供技术支持，开展离子-等离子体改性提高其磁簧开关器件质量，使公司磁簧开关器件达到全球15%的市场份额。Tolstoguzov教授是俄罗斯顶尖的加速器离子束专家，主持研发的LEIS、TOF SIMS装备具有国际先进水平。
在意大利、葡萄牙工作期间，托斯托古佐夫教授承担了欧洲航天局离子推进装置项目，研制了新型离子推进装置，并在欧洲航天局发射的小卫星上进行了验证性实验。
主办：物理科学与技术学院
协办：科学研究处
